《西南农业学报
》
1991
摘要:在钴圃慢照射普通小麦四分体前、配子体阶段、合子幼胚阶段以及整个发育阶段的植株,以钴一60γ射线急性照射干种子作比较,研究照射后M_3代的遗传变异.结果表明,除照射四分体前植株的诱变效果比照射种子的低外,其他发育阶段照射均高于种子照射.慢照射M_2、M_3代的平均突变频率比照射种子的分别高23%,70%.照射配子体阶段M_3代突变频率中,分离穗行占3/4以上.慢照射辐射损伤小,突变频率高,有益突变多.
关键词:
普通小麦
钴圃慢照射
发育阶段
突变频率
有益突变