叶面喷施硅对镉胁迫番茄叶片PSⅡ电子传递的影响

张泽锦; 唐丽; 李跃建; 《西南农业学报 》 2020 北大核心 CSCD

摘要：【目的】本文探究了喷施Si对Cd胁迫下番茄叶片光系统II电子传递的影响,为低Si吸收作物番茄栽培过程中硅肥的合理施用、防治镉污染提供理论依据。【方法】以"耐裂王"番茄为材料,利用盆栽法模拟不同Cd含量的土壤,喷施不同浓度的Si溶液,采用Dual-PAM-100双通道荧光测定仪分析测定PSⅡ快速叶绿素荧光诱导动力学特性。【结果】镉胁迫可导致快速叶绿素荧光诱导动力学曲线改变,最小荧光值（F_o）和K相相对可变荧光（V_k）显著增加。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片的F_o和V_k。镉胁迫引起单位反应中心吸收的光能（ABS/RC）、捕获的光能（TRo/RC）和热耗散的能量（DIo/RC）增加,而降低单位反应中心传递的能量（ETo/RC）、PSⅡ最大电子传递速率(ETR_max)和光合性能(PI_abs),导致番茄叶片光合机构完整性被破坏,单位PSⅡ反应中心数量发生变化,PSⅡ供、受体侧受到毒害,抑制光合电子传递。喷施Si可以降低Cd胁迫下番茄叶片ABS/RC、TRo/RC和DIo/RC,提高ETo/RC、PSⅡ和PSI的ETR_max、最小饱和光强（I_k）和PI_abs。【结论】喷施Si能稳定Cd胁迫下番茄叶片的光合系统的结构和功能,缓解Cd胁迫对番茄叶片光合性能的抑制。

关键词： 番茄 镉胁迫 硅 快速叶绿素荧光